电化学多孔硅腐蚀工艺是硅片在HF酸溶液中,通过电化学的方法对硅片进行有条件的腐蚀,在硅片表面得到一层多孔硅薄膜。多孔硅薄膜是一种大表面积德多孔材料,可以应用在许多领域,如器件隔离、光致发电、电致发光以及潜力巨大的光电应用等。
多孔硅的特性通过两个指标孔隙率和孔径大小来体现,在多孔硅薄膜制备过程中,可以通过以下工艺参数来控制孔隙率和孔径大小。
1. 硅衬底的类型和浓度;
2. HF酸溶液的浓度;
3. 电流密度;
4. 阴阳极的距离;
5. 光照效率。
微构龙科技(MST)的电化学多孔硅腐蚀MEC系列设备,针对多孔硅薄膜的研发和生产而设计和制造的。设备安全可靠,有效地控制各种工艺参数,得到理想的工艺结果。设备有生产型和研发型两类工不同客户选择,其主要功能如下:
1. 主体材料:德国进口老士领瓷白PP。
2. 槽体材料:德国进口老士领NPP。
3. 阴极系统:Pt,Mo,Graphite, 为孔状结构,配专用的连接装置。
4. 阳极系统:Pt,Mo,Graphite,配专用的连接装置。
5. 腐蚀电源:直流或脉冲电源。
6. 光照系统:光辅助腐蚀系统。
7. 循环系统:选配溶液可进行循环,速度可调。
8. 温控系统:控制溶液温度。
9. 夹具系统:实现硅片与电源的连接,适合硅片背面有无金属化的硅片操作。
设备和工艺的详细描述:http://www.szmst.com/cn/products.asp?menuid=137
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